First Sensor

硅光电倍增管(SiPM)

硅光电倍增管(SiPM) First Sensor硅光电倍增管(SiPM)是具有单光子灵敏度的创新型固态硅探测器。硅光电倍增管是光电倍增管的有效替代品。该系列探测器的主要优势在于其高增益特性、卓越响应速度和低工作电压。该系列探测器还具有对磁场不敏感和集成度高等特点。该系列探测器针对在420nm或550nm波段具有峰值敏感性的近紫外线(NUV)或红绿蓝3通道(RGB)光检测应用进行了优化设计。芯片级封装(CSP)采用无边框硅光电倍增管冲模,提供经济高效的解决方案,以此最大限度地扩大活跃区面积。 典型应用领域包括高能物理、医学影像学、核医学、国土安全及分析仪器等。 特性 - 出色的单光子探测灵敏度 - 光检测工作距离长(响应波长:350至900nm) - 暗计数率 <100/<200 kHz/mm2 - 优异的击穿电压一致性 - 良好的温度稳定性 - 极高增益 (106) - 卓越的定时性能 - 对磁场不敏感 - 即使直接曝光在环境背景光下也不会损坏探测器 - 芯片级封装(CSP)符合RoHS要求 此外,First S...

InGaAs铟镓砷探测器

InGaAs铟镓砷探测器 First Sensor提供大面积铟镓砷PIN(InGaAs PIN)光电二极管,其活性传感器表面直径最高可达3mm。该系列二极管具有低暗电流和高灵敏度(最高可达1700nm波长)的特点。另提供用于可见光波长范围的增强型版本。外壳提供TO解决方案和SMD封装方式备选。欢迎垂询,了解契合您具体应用需求的特定传感器解决方案。 特性 - 灵敏度高达1700nm - 低暗电流 - 活动区面积可达0.7至7mm² 技术规格和PDF数据图表 Order # Chip Package Active Area Size (mm) / Area (mm²) Spectral Response (A/W) at 650 nm / at 1550 nm Dark current (nA) at 5V (nA) Capa- citance (pF) at 5 V Wave- band (nm) 3001210 (https://www.first-sensor.com/cms/upload/da...

PIN光电二极管

PIN光电二极管 First Sensor致力于运用各类先进技术研发和制造光电二极管系列产品。 材料与加工工艺可根据具体客户的具体产品需求进行调整,以此优化产品参数,其中包括不同波长、速度和容量下的灵敏度等。我们致力于为您找到最适合您具体应用需求的理想技术。 光谱响应(环境温度23°C) 关于PIN光电二极管 光电二极管是将光转换成电压(光电效应)或光电流的半导体部件。硅半导体中的P-N结是实现该过程的物理基础。具有足够能量的光子被探测器吸收后会形成光生载流子(电子空穴对)。光生载流子在空间电荷区完成分离后产生光电流。 在不施加外部电压的情况下亦可分离光生载流子。该过程可采用反向电压加速进程。如果不在饱和状态下运行二极管,则光电流与吸光度值能够在多个数量级维持线性关系。 根据外部连接方式,我们将运行状态分为两类:元件运行和二极管运行。在元件运行状态下,二极管直接连接至电器终端,无需使用外部电压源。在此种工作状态下,系统无暗电流产生,便于检测最小强度变化。 在二极管运行状态下,外部电压源与电器终端串行连接,向二极管施加反向电压。在要求实现快速信号响应...

四象限PIN光电二极管(QP)

四象限PIN光电二极管(QP) 四象限光电二极管是分立元器件,通常由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。该系列光电二极管可用于诸多应用领域,用以检测激光束、准直器及其他方便调节用元器件。 特性 - 小面积间隙 - 低暗电流 - 优良的耐腐蚀性能 - 高分辨率 - 另提供用于1064nm的特别版本 6系列:低暗电流 技术规格和PDF数据图表 Order # Chip Package Active Area Size (mm) / Area (mm²) Gap (µm) Dark current (nA); 10 V Capa- citance (pf); 10 V Rise time (ns); 850 nm, 10 V, 50 Ω 5000029 (https://www.first-sensor.com/cms/upload/datasheets/QP1-6_TO_5000029.pdf) QP1-6 TO52 Ø 1.13 / 4x0.25 16 0.1* 1 20 ...

雪崩光电二极管(APD)

雪崩光电二极管(APD) First Sensor致力于运用各类先进技术研发和制造高品质雪崩光电二极管系列产品。 材料与加工工艺可根据具体客户的具体产品需求进行调整,以此优化产品参数,其中包括不同波长、速度和容量下的灵敏度等。我们致力于为您找到最适合您具体应用需求的理想技术。 光谱响应 (典型环境温度23°C, M=100) 于雪崩光电二极管 雪崩光电二极管是具有内增益机制的二极管。在运行标准二极管时,光子产生电子空穴对。系统通过施加外部电压,利用碰撞电离效应,吸引更多电子跃迁至导带,以此加速进程。这些二次电子反过来可吸收足够能量,进一步增加被吸引跃迁至导带的电子数量,因而可形成高达几百倍的倍增因子。 雪崩二极管通常用于光信号强度极低的工作环境,但也用于具有高调制频率的应用领域。在低于60兆赫的频率范围内,因雪崩效应而加剧的噪声水平通常低于通过结合使用传统二极管与外部电子放大器而产生的噪声水平。 该产品的典型应用领域包括低电平信号下的距离测量及光通信等。First Sensor提供范围宽广的雪崩光电二极管探测器,并配备多款外壳。我们针对蓝光、红光和自90...

四象限雪崩光电二极管(QA)

四象限雪崩光电二极管(QA) 四象限光电二极管是分立元器件,通常由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。该系列光电二极管可用于诸多应用领域,用以检测激光束、准直器及其他方便调节用元器件。 特性 - 小面积间隙 - 低暗电流 - 优良的耐腐蚀性能 - 高分辨率 - 另提供用于1064nm的特别版本 9系列:近红外敏感增强型(900nm波段) 技术规格和PDF数据图表 Order # Chip Package Quantum efficency (QE) Dark current (nA); 10 V Active Area Size (mm) / Area (mm²) Rise time (ns); 850 nm, 10 V, 50 Ω 3001214 (https://www.first-sensor.com/cms/upload/datasheets/QA4000-9_TO_3001214.pdf) QA4000-9 TO8Si > 80 % at 760-910 nm 4* ø ...

雪崩光电二极管阵列(APD阵列)

雪崩光电二极管阵列(APD阵列) 该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达(LIDAR)系统和激光测距仪而设计,包含线性与矩阵阵列,在单片冲模上配置多个传感器,如8像素、16像素或64像素等。 特性 - 在900nm波段范围内具有快速上升时间 - 在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率 - 可有效降低偏置水平 - 低温度系数 - 活性表面直径达5毫米 多元阵列 技术规格和PDF数据图表 Order # Chip Package Active elements Quantum efficency (QE) 3001188 (https://www.first-sensor.com/cms/upload/datasheets/8AA0.4-9_SMD_3001188.pdf) 8AA0.4-9 SOJ22GL 8 > 80 % at 760-910 nm with NTC 3001187 (https://www.first-sensor.com/cms/upload/datasheet...

位敏二极管(PSD)

位敏二极管(PSD) 该系列元器件利用已产生光电流的横向光电效应。“位置敏感探测器”(PSD)指基于硅PIN二极管技术的光电设备,用于测量入射光信号积分焦点的空间位置。例如,位敏探测器将光斑转换成与该光斑焦点位置相对应的一个连续电信号,再通过计算两个输出电流之间的关系得到该方位的具体参数。 特性 - 二维位敏探测器 - 两面横向型位敏探测器 - 高位置分辨率 - 高线性度 - 元器件量程范围在两个方向上最高可达20mm 技术规格和PDF数据图表 Order # Chip Package Dimension Active Area Size (mm) / Area (mm²) Rise time (ns); M = 100, 20 V, 50 Ω Inter- electrode Resistance 3001032 (https://www.first-sensor.com/cms/upload/datasheets/DL100-7_THD_3001032.pdf) DL100-7 CER...

波长敏感二极管(WS)

波长敏感二极管(WS) 波敏光电二极管的工作原理是利用硅在特定波长上的辐射吸收深度效应。为此目的,两个P-N结在硅晶中沿垂直方向排列,令在垂直相邻范围内开展独立信号检测成为可能。该系列配置特别适用于单色输入信号的波长检测。使用波长敏感二极管后,参数计算仅需求取两股光电流之间的商数对应关系。以一个非单色输入信号为基础的色温计算需要两个该系列探测器和一个额外滤光器。 特性 - 两个沿垂直方向对齐的P-N结 - 量程范围:450nm至950nm - 特别适用于单色光源 技术规格和PDF数据图表 Order # Chip Package Measuring range Dark current (nA); 5 V Rise time (ns) Diode 1 0 V, 1 kΩ Rise time (ns) Diode 2 0 V, 1 kΩ 3001222 (https://www.first-sensor.com/cms/upload/datasheets/WS7.56_TO_3001222.pdf) WS7...