雪崩光电二极管阵列（APD阵列）
该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达（LIDAR）系统和激光测距仪而设计，包含线性与矩阵阵列，在单片冲模上配置多个传感器，如8像素、16像素或64像素等。
特性- 在900nm波段范围内具有快速上升时间
- 在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
- 可有效降低偏置水平
- 低温度系数
- 活性表面直径达5毫米
多元阵列
技术规格和PDF数据图表| Order # | Chip | Package | Active elements | Quantum efficency (QE) |
| 3001188 | 8AA0.4-9 | SOJ22GL | 8 | > 80 % at 760-910 nm with NTC |
| 3001187 | 16AA0.13-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % at 760-910 nm with NTC |
| 3001411 | 16AA0.4-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % at 760-910 nm |
| 3001214 | QA4000-9 | TO8Si | 4 | > 80 % at 760-910 nm |
| 3001421 | QA4000-10 | TO8Si | 4 | High QE at 850-1070 nm |
| 3001284 | QA4000-10 | TO8S | 4 | High QE at 850-1070 nm |
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Active elements |
| 50156801 | 16AA0.4-9 | PCBA | 16 |